4月2日，中国工业报记者走进位于浑南区水家900号的沈阳拓荆科技有限公司新厂区，这里拥有宽敞、明亮的现代化办公大楼及高级洁净的厂房，总建筑面积达42,000平方米。千级、百级乃十级的无尘室以及十余台高端的检测设备，用以研制科技领先的半导体薄膜设备。

　　沈阳拓荆科技有限公司副总经理孙丽杰在向中国工业报记者介绍，拓荆作为两次承担国家重大科技专项的高新技术企业，在过去10年里，先后引进十余名名海外专家，现有的280余名员工，硕士占40%，本科及以上员工占92%。

　　在人才矩阵的强力支撑下，拓荆不断推出创新产品，不断填补国内空白，现在已经发展成为国内极大规模集成电路行业专用薄膜设备的领军企业。集成电路产业发展遵从摩尔定律，产品每18个月性能翻一倍，成本节约一半。薄膜设备是集成电路四大核心设备之一，设备需求占到产线%。其核心技术是利用等离子体增强化学气相沉积法，在硅片上“长”出一层层固态薄膜，而成膜的速度和薄膜的质量直接影响着芯片的产能和良率。拓荆公司一直致力于集成电路高端薄膜装备创新，围绕该技术产品两次承担国家02科技重大专项，现已形12英寸PECVD、ALD、3D NAND PECVD三个产品，广泛应用于集成电路、3D-TSV、光波导、LED、3D-NAND闪存、OLED显示等高端技术领域。

　　孙丽杰表示，拓荆的12英寸PECVD设备于2008年获批国家十一五02重大专项。2016年，沈阳荆拓科技承担的“十一五”科技重大专项“90-65nm等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备研发与应用”项目以93分的成绩通过国家专项办验收，标志着我国12英寸PECVD设备实现国产化，填补了国内空白，提升了我国集成电路产业整体竞争力。

　　中国工业报记者在采访中了解到，12英寸PECVD是当今国际主流薄膜沉积设备。为承接国家重大专项，在原中科院的下属公司PECVD事业部的基础上，2010年4月由海外专家团队和中科院所属企业共同发起成立的国家高新技术企业，专项研制12英寸PECVD设备。几年来相继攻克了设备平台设计、薄膜工艺开发、薄膜均匀性控制等关键技术，产品通过国内12英寸集成电路生产线考核验收，各项指标达到国际水平，成本为国际设备的70%，产品及服务得到用户的一致认可。

　　2018年拓荆在先进工艺方面取得了突破性的进展。ALD设备通过客户14nm工艺验收。首台硬掩膜ACHM机台出货到客户端。在市场方面，公司拓荆设备已经通过大规模生产的考验。目前，该设备已应用于IC芯片前道制造、TSV后道封装、AMOLED等领域，成功打入国内主要12吋生产大厂，并在28nm线实现量产。截止到目前，拓荆公司12英寸PECVD设备累计销售50余台套，在客户端生产线多万片产品片的生产经验。

　　拓荆公司在PECVD设备基础之上，自主研制了居世界领先地位的原子层薄膜沉积（ALD）设备，该设备具有完全的自主知识产权，具备产能、颗粒控制、均匀性、台阶覆盖性能等关键技术指标的优势，并已实现销售。ALD技术是半导体元器件生产所需的超细薄膜制备的首选工艺，具有精确控制薄膜特性及100%覆盖能力的优势，可延续PECVD在20nm以下制程的应用，是国际最前沿的薄膜技术，在半导体、医疗器材、新能源等领域拥有广泛的应用前景。

　　2016年，拓荆公司获批新的国家十三五02重大专项，项目重点研发应用于新一代闪存领域3D NAND PECVD工艺技术及设备，为国家大存储器项目提供专业配套并实现产业化，使中国的薄膜设备研发和制造达到国际前沿水平。2017年，首台量产型3D NAND PECVD 出厂到客户端，目前拓荆公司高产能量产型样机已在客户端验证中。

　　拓荆拥有国际一流的专家团队，现有十余名海外专家，直接为公司注入了与国际接轨的高科技企业管理模式。公司技术产品拥有100%自主知识产权，现已申请专利360余项，填补了多项国内空白。2017年公司获评为国家知识产权优势企业。

　　拓荆注重人才本土化建设，将培养国内一流专业人才作为企业使命之一。公司一方面每年在哈工大、东北大学等高等院校招聘选拨本科和研究生，有计划地安排多方面培训及实践工作以培养员工的创新能力、专业研发能力及独立担责的能力，使人才能够全面发展，同时不断从国内外先进的企业、国际顶尖高等院校聘请专家进行技术交流，提高国内研发人员的能力；另一方面积极吸引国外半导体行业资深的技术专家来华，以海外专家为各专业的带头人，有力地带动了国内人员技术能力的提升，锻炼培养出了一批优秀国内IC专业人才，对辽沈地区乃至全国IC装备产业的发展具有极大推动作用。